第五版圖形用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器是一種高性能顯卡使用的同步動態(tài)隨機存取存儲器，專為高帶寬需求計算機應(yīng)用所設(shè)計。由AMD、SK Hynix、三星電子、NVIDIA、JEDEC等聯(lián)合制定，取代GDDR3以及GDDR4顯示存儲器。GDDR5和GDDR4一樣基于DDR3 SDRAM改造而來，基本存儲器架構(gòu)和DDR3相若，存儲器預(yù)取也是相同的8n設(shè)置。所謂的“預(yù)取”，及存儲器芯片內(nèi)部的存儲器數(shù)組傳輸率與輸出/輸入(I/O)訪問傳輸率的比值，“8n”代表I/O緩沖器一次讀取存儲器數(shù)組中8位的數(shù)據(jù)，提升存儲器外部的傳輸速度。

gddr5的特點是什么?

GDDR5為了增大帶寬并降低延時，避免出現(xiàn)GDDR4那樣高帶寬但高延時的情況，與DDR3相比，GDDR5顯示存儲器使用了DQ并行雙數(shù)據(jù)總線，相當于提供了在GDDR3的基礎(chǔ)上多加了一條通道，而GDDR3顯示存儲器、DDR3存儲器卻只有一條通道;另外，GDDR5采用時鐘頻率分離的設(shè)計，地址與命令總線采用其中一組時鐘頻率信號，而數(shù)據(jù)總線則采用另外獨立的一組，且為地址與命令總線時鐘頻率的兩倍。所以GDDR5的理論速度可達DDR3的四倍、GDDR3/GDDR4的兩倍，5GT/s以上的高傳輸率(亦即坊間所謂的5GHz高頻)變成可能，通過高頻率有可能使一款128bit的顯卡性能超過DDR3的256bit顯卡。。相比GDDR3或GDDR4顯示存儲器而言工作電壓從1.8V降為電壓僅有1.5V，還具有新電源管理技術(shù)，功耗更低。且GDDR3使用的為80nm制程，而GDDR5為55nm，制程的提高使芯片的體積縮小，發(fā)熱量也可以低許多。